CuAlSe2光伏吸收层薄膜的制备

• 作者: 丁铁柱 刘晓玺 张茹 朱俊 李东东 程凤敏 高强强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CuAlSe2 CuAlSe2∶Fe 光学特性
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 3210-3214,3218
• 页数: 6页
• 分类号: TM615
• 字数: 3166字
• 语种: 中文

摘要

用同族元素Al和Fe取代CulnGaSe2薄膜中的In和Ga元素.采用粉末冶金工艺制备CuAlSe2和CuAlSe2∶Fe光伏吸收层薄膜.依次对薄膜样品进行了表面形貌、化学成分、薄膜厚度、晶体结构和光学特性测试分析.结果表明,退火温度为450℃、500℃、550℃时薄膜的生长特性较好,薄膜较为致密,结晶度较高.薄膜主要为黄铜矿结构,并沿(112)晶相择优生长.CuAlSe2薄膜和CuAlSe2∶Fe薄膜样品的光学吸收系数达到105 cm-1,且随着掺Fe比例增加而增加.未掺杂的薄膜的光学带隙约为1.6 eV,掺Fe薄膜的禁带宽度接近1.8 eV.