SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用

• 作者: 可翀 李艳 梁美 游小杰 郑琼林
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET CoolMOS IGBT 特性 DAB变换器
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 41-50
• 页数: 10页
• 分类号: TN409
• 字数: 4077字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注.SiC半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要.本文主要对比了SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的静态特性.并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4～ 10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性.设计了一台2kW的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	游小杰	北京交通大学电气工程学院	102	1319	18.0	35.0
2	郑琼林	北京交通大学电气工程学院	196	3061	32.0	50.0
3	梁美	北京交通大学电气工程学院	7	65	2.0	7.0
4	李艳	北京交通大学电气工程学院	53	250	9.0	14.0
5	可翀	华北水利水电大学电力学院	2	60	1.0	2.0