点缺陷对CdS电子结构及光电特性的影响

• 作者: 岑伟富 曲晓环
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: CdS 电子结构 光电特性 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 实验技术与装置
• 页码范围: 115-119
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.14016/j.cnki.jgzz.2015.12.115

摘要

采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理超软赝势方法,计算了缺陷对CdS的电子结构和光电特性的影响.计算电子结构结果表明:CdS是带隙宽带为1.943eV的直接带隙半导体材料.价带主要由S 3p态电子贡献,导带主要由Cd 4d 5s和S3p态电子决定;VCd缺陷使得CdS在G点形成0.867eV的直接带隙;Vs缺陷使得CdS形成隙值为0.948eV的G-M点间接带隙;VS-Cd缺陷使得CdS形成带隙值为0.966eV的K-G点间接带隙;VCd-S缺陷使得CdS转化为带隙值为0.438eV的n型直接带隙半导体.光学特性计算结果表明:缺陷均使得光学特性向低能方向偏移,同时引起介电常数增加,吸收系数增加,能量损失函数增加.计算结果为CdS光电特性的研发提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曲晓环		9	12	2.0	3.0
2	岑伟富	贵州民族大学工程人才技术实践训练中心	23	27	3.0	4.0