一种低泄漏微波开关的研究与设计

• 作者: 任玉兴 胡丹
• 来源期刊: 通讯世界
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs开关 低泄漏
• 年，卷（期）: 2015,（13）
• 所属期刊栏目: 论述
• 页码范围: 285-286
• 页数: 2页
• 分类号: TH816
• 字数: 1835字
• 语种: 中文

摘要

研究了影响GaAs开关泄漏的关键因素，通过减小泄漏源、控制泄漏途径，成功设计了一种低泄漏微波开关。该开关具有极低的泄漏，在控制脉冲幅度0/0.3V的情况下，300±2MHz频率范围内泄漏低于-110dBm，比常用GaAs开关低40dB。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡丹	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	31	3.0	5.0
2	任玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	1	1.0	1.0