InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征?

• 作者: 姚婷珍 王党会 王荣 许天旱 雒设计
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 低频噪声 发光二极管 复合机理 发光效率
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 页码范围: 050701-1-050701-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.050701

摘要

本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试，结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理，研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系.结论表明，当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中， InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声，载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合，并具有标准1/f噪声的趋势，此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定.本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法，为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王荣	西安石油大学材料科学与工程学院	53	439	11.0	18.0
2	许天旱	西安石油大学材料科学与工程学院	46	89	5.0	6.0
3	王党会	西安石油大学材料科学与工程学院	39	70	5.0	6.0
4	姚婷珍	西安石油大学材料科学与工程学院	25	61	4.0	7.0
5	雒设计	西安石油大学材料科学与工程学院	35	132	6.0	10.0