低限流下含Ag电极的BiFeO3薄膜的阻变开关特性

• 作者: 娄建忠 李岩 李玉成 杨涛 贾信磊 赵建辉 闫小兵 闫铭 陈英方
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阻变存储器 低限制电流 开关机制 导电细丝
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 3014-3018
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2852字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗.在0.5 μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8 ×104 s,有较好的保持特性.分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开.