不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性

• 作者: 张希军 杨洁 董康宁
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 硅双极晶体管 静电放电 机器模型 特征频率 基区宽度 电流增益
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容与工频电磁场
• 页码范围: 1631-1636
• 页数: 6页
• 字数: 4002字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.2015.05.029

摘要

为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验.试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT＞600MHz时,hFE渐变至失效.该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张希军	军械工程学院静电与电磁防护研究所	50	393	12.0	17.0
2	杨洁	军械工程学院静电与电磁防护研究所	29	181	9.0	12.0
3	董康宁	军械工程学院静电与电磁防护研究所	1	4	1.0	1.0