宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的研究进展

• 作者: 夏长泰 张宏哲 王林军 肖海林 赛青林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: β-Ga2O3 晶体生长 LED MOSFET 紫外光探测器
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 2943-2953
• 页数: 11页
• 分类号: O738
• 字数: 6774字
• 语种: 中文

摘要

本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质.β-Ga2O3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王林军		109	441	11.0	14.0
2	夏长泰	中国科学院上海光学精密机械研究所	19	225	8.0	14.0
3	赛青林	中国科学院上海光学精密机械研究所	7	27	3.0	5.0
4	肖海林	中国科学院上海光学精密机械研究所	3	15	2.0	3.0
5	张宏哲		1	13	1.0	1.0