生长条件对AlGaN/GaN HEMT势垒层表面形貌及二维电子气迁移率的影响

• 作者: 张恒 徐现刚 曲爽 王成新 胡小波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 表面形貌 二维电子气 迁移率
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3799-3803
• 页数: 5页
• 分类号: O73
• 语种: 中文

摘要

使用金属有机化学气相沉积法生长了AlGN/GaN高电子迁移率晶体管.研究了生长压力和载气组分对AlGaN势垒层及AlGaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响.原子力显微镜(AFM)光谱和SEM-EDS用于表征外延层的质量.结果表明随着反应室压力从50torr提高到200torr,AlGaN势垒层的表面形貌先变好,随后开始变差.在反应室压力100torr情况下得到最好的表面形貌.同时发现在生长AlGaN势垒层时,同时适当的氢气会提高AlGaN层的质量.在反应室压力100torr、氢气组分59％时得到AlGaNHEMT的最大二维电子气迁移率为1545 cm2/V·s.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
4	张恒	山东大学晶体材料国家重点实验室	35	92	5.0	9.0
5	曲爽		2	1	1.0	1.0
6	王成新		2	1	1.0	1.0