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摘要:
In the terahertz (THz) regime, the active region for a solid-state detector usually needs to be implemented accurately in the near-field region of an on-chip antenna. Mapping of the near-field strength could allow for rapid verification and optimization of new antenna/detector designs. Here, we report a proof-of-concept experiment in which the field mapping is realized by a scanning metallic probe and a fixed AlGaN/GaN field-effect transistor. Experiment results agree well with the electromagnetic-wave simulations. The results also suggest a field-effect THz detector combined with a probe tip could serve as a high sensitivity THz near-field sensor.
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文献信息
篇名 Mapping an on-chip terahertz antenna by a scanning near-field probe and a fixed field-effect transistor
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 terahertz detector terahertz antenna near-field probe high electron mobility transistor
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 028504-1-028504-5
页数 1页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1088/1674-1056/24/2/028504
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terahertz detector
terahertz antenna
near-field probe
high electron mobility transistor
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期刊影响力
中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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出版文献量(篇)
17050
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