氮化铁薄膜中反常霍尔效应的研究

• 作者: 任山令 曹志慧 李兴鳌 李永涛
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射方法 反常霍尔效应 标度律 斜散射
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 16-18,24
• 页数: 4页
• 分类号: O484.3
• 字数: 2054字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.004

摘要

通过磁控溅射方法制备了氮含量不同的氮化铁薄膜,观察到随着氮含量的增加,薄膜的导电机制从金属到半导体的转变.霍尔电阻的测量表明在高电阻区域反常霍尔电阻率与纵向电阻率的标度律为线性,即反常霍尔效应遵循斜散射机制,但相应的反常霍尔电导率与纵向电导率的关系不总是线性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任山令	南京邮电大学电子科学与工程学院	8	13	2.0	3.0
5	李永涛	南京邮电大学理学院	44	148	6.0	11.0
6	曹志慧	南京邮电大学电子科学与工程学院	1	2	1.0	1.0
7	李兴鳌	南京邮电大学材料科学与工程学院	43	201	6.0	13.0