低压化学气相沉积法生长 B 掺杂 ZnO 薄膜及其性能

• 作者: 何兵 吴永庆 徐小科 李效民 杨哲 赵俊亮
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: BZO 透明导电氧化物 生长机理 雾度 低压化学气相沉积(LPCVD)
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 7043-7047
• 页数: 5页
• 分类号: TB321|TB34|TK51
• 字数: 2844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.009

摘要

低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性，可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn (C2 H 5)2和 H 2 O 为前驱体， B2 H 6为掺杂物，通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征，着重研究了(110)取向的 BZO 薄膜的生长机理.结果表明，厚度在500 nm 以下的 BZO 薄膜主要表现为(002)取向，随着厚度的增加，薄膜取向开始向(110)转变.所得 BZO 镀膜玻璃在400~1000 nm范围内总透过率＞80％，雾度最高可达28％(550 nm)，方块电阻最低约7Ω/□，电阻率最低约1．0×10－3Ω?cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴永庆	中国科学院上海硅酸盐研究所	10	10	2.0	3.0
2	李效民	中国科学院上海硅酸盐研究所	24	197	10.0	13.0
3	徐小科	中国科学院上海硅酸盐研究所	2	7	1.0	2.0
7	赵俊亮		1	6	1.0	1.0
11	杨哲		1	6	1.0	1.0
12	何兵		1	6	1.0	1.0