功率对制备β-FeSi2薄膜的影响

• 作者: 卢顺顺 张晋敏 胡维前 谢泉 贺晓金 邵飞
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 β-FeSi2薄膜 晶体结构 形貌特征
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 111-113,117
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|TB34
• 字数: 3014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2015.05.032

摘要

利用磁控溅射方法,溅射室背底真空优于2.0×10-5 Pa,采用不同的功率在Si(100)(电阻率为7～13 Ωcm)衬底上沉积一层铁薄膜(150～330nm),然后在900℃,15 h背底真空条件下(4×10-4 Pa)退火,形成了β-FeSi2.采用扫描电子显微镜(SEM)对其表面形貌结构进行表征,并采用X射线衍射仪(XRD)对其进行了晶体的结构分析,当溅射功率为70～100 W时,主要衍射峰来自β-FeSi2,但同时在2θ=45°处有较大的FeSi峰,在2θ=38°附近出现较大的Fe5Si3峰.研究结果表明,制备β-FeSi2薄膜的最佳溅射功率为110W,在900℃退火15 h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学大数据与信息工程学院	133	486	12.0	17.0
2	胡维前	贵州大学大数据与信息工程学院	3	2	1.0	1.0
3	张晋敏	贵州大学大数据与信息工程学院	47	261	7.0	15.0
4	邵飞	贵州大学大数据与信息工程学院	3	2	1.0	1.0
5	卢顺顺	贵州大学大数据与信息工程学院	3	2	1.0	1.0
6	贺晓金	贵州大学大数据与信息工程学院	4	6	2.0	2.0