拓扑绝缘体（Bi0.5Sb0.5）2Te3薄膜中的线性磁阻

• 作者: 关童 吴克辉 李永庆 滕静
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 拓扑绝缘体 薄膜 线性磁阻
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 专题：表面低维结构的电子态调控
• 页码范围: 077201-1-077201-8
• 页数: 1页
• 字数: 5146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.077201

摘要

本文报道了拓扑绝缘体(Bi0.5Sb0.5)2Te3薄膜中线性磁阻问题的系统性研究工作.此体系中，线性磁阻在很宽的温度和磁场范围内出现：磁场高达18 T时磁阻仍没有饱和趋势，并且当温度不高于50 K时，线性磁阻的大小对温度的变化不敏感.栅压调控化学势可明显改变线性磁阻的大小.当化学势接近狄拉克点时，线性磁阻最为显著.这些结果说明电荷分布的不均匀性是引起该材料线性磁阻的根源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴克辉	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	7	33	2.0	5.0
2	关童	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	1	2	1.0	1.0
3	滕静	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	1	2	1.0	1.0
4	李永庆	中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室	5	4	2.0	2.0