基于两步法阳极氧化的TiO2纳米管阵列制备研究

• 作者: 孙伟 张君慧 张文栋 李刚 李大维 赵清华 郭丽芳
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基底 阳极氧化 TiO2纳米管阵列
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 3136-3140
• 页数: 5页
• 分类号: TQ153.6
• 语种: 中文

摘要

采用低浓度的无机溶剂HF溶液(0.05％,质量分数)对溅射在硅基底上的400 nm钛薄膜进行阳极氧化制备TiO2纳米管阵列,并利用SEM对制备出的TiO2纳米管阵列进行表征.实验结果表明,通过优化阳极氧化电压幅值、电压施加方式和氧化时间,均可有效控制纳米管阵列的尺寸和形貌.首先施加0.5V的低电压28 min,在低浓度的HF溶液中阳极氧化钛薄膜制备TiO2纳米管阵列,其管径可达120 nm左右.在此基础上,对电压施加方式进行改进,提出两步法施加电压方式,并优化氧化时间,在硅基底钛薄膜上制备出管径为100 ～ 270 nm结构紧密有序的TiO2纳米管阵列,明显优于钛薄膜在有机电解液中氧化制备的管径为70～100 nm的TiO2纳米管阵列.