复相导电陶瓷的导电机理分析

• 作者: 刘晓燕 吴炳辉 周立娟 尹凯俐 张泳昌 张玉瑶 马在强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 导电陶瓷 电阻率 导电机理
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 3537-3542
• 页数: 6页
• 分类号: TG113.22+4
• 字数: 5239字
• 语种: 中文

摘要

讨论了复相导电陶瓷改性问题的研究,详细介绍了N型、P型、电子离子弥补型以及加入连通导电相型导电陶瓷各自典型的机理和电阻率的变化.分析表明:非半导体导电陶瓷是通过加入掺杂物引起基体晶格畸变或发生取代引起电子、离子的浓度变化来影响电阻率的变化;半导体导电陶瓷是通过掺杂第五主族元素或第三主族元素分别形成N型半导体或P型半导体,产生大量的多余电子或可移动空穴,明显降低了材料的电阻率;连通导电相型导电陶瓷是在基体中掺杂导电相形成网状的导电连通相,从而为电子的转移提供了导电通道;最后对ZrB2改性SiC基导电陶瓷进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘晓燕	山东理工大学材料科学与工程学院	6	24	4.0	4.0
2	周立娟	山东理工大学材料科学与工程学院	16	38	4.0	5.0
3	尹凯俐	山东理工大学材料科学与工程学院	4	8	2.0	2.0
4	吴炳辉	山东理工大学材料科学与工程学院	3	17	3.0	3.0
5	张泳昌		2	7	2.0	2.0
6	马在强	山东理工大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0
7	张玉瑶	山东理工大学材料科学与工程学院	1	4	1.0	1.0