表面氢化双层硅烯的结构和电子性质

• 作者: 高潭华
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氢化 双层硅烯 电子结构 第一原理计算
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 076801-1-076801-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.076801

摘要

采用密度泛函理论(DFT)广义梯度近似GGA和HSB06方法研究了氢化双层硅烯(silicene)的结构和电子性质,结果表明：氢化后的双层硅烯可能存在三种稳定的构型, AA椅型、AB椅型和AA船型,其中AA椅型和AB椅型结构最为稳定,氢化后这三种稳定构型材料的性质由零带隙的半金属(semimetal)转变为禁带宽度分别为1.208,1.437和1.111 eV的间接带隙的半导体,采用混合泛函HSB06计算修正得到的带隙分别为1.595,1.785和1.592 eV.进一步分析了在双轴应变下氢化双层硅烯的带隙随应变的关系,得到应变可以连续的调节材料的带隙宽度,这些性质有可能应用于未来的纳米电子器件.