三层硅加速度敏感芯片BCB键合工艺研究

• 作者: 刘智辉 尹延昭 李玉玲 田雷
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 三层硅 加速度计 苯并环丁烯 键合 毛细作用
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 37-39,43
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.9
• 字数: 2323字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2015)03-0037-03

摘要

采用非光敏苯并环丁烯(BCB)进行MEMS压阻式加速度敏感芯片三层结构制作.BCB键合具有工艺温度低、键合表面要求低等特点,适用于芯片的圆片级封装.但是固化过程中BCB粘度随温度升高而下降,流动性变大,在毛细作用的影响下沿着微小间隙流淌,导致可动部件粘连,器件失效.通过控制BCB厚度、增加BCB阻挡槽解决了可动部件粘连问题,制作了三层硅结构的加速度敏感芯片.样品漏率小于1.0×10-10pa.m3/s,键合剪切强度大于20 MPa,能够满足航天、工业、消费电子等各领域的应用需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹延昭	中国电子科技集团公司第四十九研究所	6	34	3.0	5.0
2	田雷	中国电子科技集团公司第四十九研究所	15	52	5.0	6.0
3	李玉玲	中国电子科技集团公司第四十九研究所	9	13	2.0	2.0
4	刘智辉	中国电子科技集团公司第四十九研究所	6	12	2.0	3.0