真空热蒸发镀CIAS薄膜

• 作者: 任海芳 周艳文 肖旋 郑欣
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: CIAS 薄膜 真空蒸发 硒化退火
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 8086-8089
• 页数: 4页
• 分类号: TM615
• 字数: 2962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.019

摘要

采用真空热蒸发方法在普通玻璃基底上制备 CuIn0．7 Al0．3 Se2(CIAS)薄膜,并对之进行450℃真空硒化退火处理.结果表明,制备的 CIAS 薄膜具有黄铜矿结构并且以(112)晶面优先生长.真空硒化退火后,薄膜晶体结构更完整,晶粒长大,成分分布均匀,更接近 CIAS 晶体的化学计量比.薄膜为 P 型半导体,退火后的薄膜禁带宽度减小至1．38 eV,带电粒子数下降至2．41E ＋17 cm－3,带电粒子迁移率增加至5．29 cm2/(N·s),电阻率升高至4．9Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周艳文	辽宁科技大学材料与冶金学院	46	32	3.0	5.0
2	任海芳	辽宁科技大学材料与冶金学院	1	0	0.0	0.0
3	肖旋	辽宁科技大学材料与冶金学院	1	0	0.0	0.0
4	郑欣	辽宁科技大学材料与冶金学院	1	0	0.0	0.0