溅射功率对磁控溅射ZnO∶Al（ZAO）薄膜性能的影响

• 作者: 郑玉婴 高立华
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: ZAO 薄膜 溅射功率 方块电阻 透过率
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 8028-8030
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.08.006

摘要

采用射频磁控溅射工艺，以高密度氧化锌铝陶瓷靶为靶材，衬底温度控制在室温，在玻璃基底上制备了透明导电 ZnO∶Al(ZAO)薄膜.利用 X 射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见光谱仪和范德堡法，系统研究了不同溅射功率对薄膜的结构、形貌及光电特性的影响.结果表明，不同溅射功率对薄膜的光透射率影响不大，而对薄膜结晶和电学性能影响较大.XRD 表明薄膜为良好的 c 轴择优取向；可见光区(400~600 nm)平均透过率达到85％以上；在120 W 下沉积的薄膜电学性能达到了最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑玉婴	福州大学材料科学与工程学院	141	1174	16.0	24.0
2	高立华	福州大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0