离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究

• 作者: 刘向阳 张可锋 徐国庆 李向阳 杜云辰
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 离子束刻蚀 迁移率谱 表面电子层 体电子层
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 116102-1-116102-4
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.116102

摘要

本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体，发现180μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型，且由两个不同电学特性的电子层组成：低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层。通过分析不同温度下的迁移率谱，表明表面电子层的迁移率不随温度而变化，而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致。不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀。另外，通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2—3个数量级。