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摘要:
基于电磁场、半导体物理及热力学方程的半导体器件多物理场模型方程组共同描述了器件内部的电热特性.而半导体器件在反向电压作用下,会发生碰撞电离及雪崩击穿现象.采用多物理场计算方法仿真型号为HSMS-282C的肖特基二极管的雪崩击穿现象,仿真结果与实验测量结果吻合,表明该算法能准确表征二极管物理特性,并对效应现象给出物理机理解释.
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文献信息
篇名 基于多物理场计算的二极管雪崩击穿效应分析
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 多物理场 电磁仿真 二极管 雪崩击穿
年,卷(期) 2015,(10) 所属期刊栏目 复杂电磁环境数值仿真
研究方向 页码范围 60-62
页数 3页 分类号 TN701
字数 1569字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201527.103213
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈星 四川大学电子信息学院 73 317 10.0 15.0
2 徐可 四川大学电子信息学院 8 11 2.0 2.0
3 曾洪正 四川大学电子信息学院 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
多物理场
电磁仿真
二极管
雪崩击穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
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61664
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