YVO4∶Eu纳米荧光材料的合成及其在手印显现中的应用

• 作者: 王猛
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 化学
• 关键词: 手印显现 纳米材料 稀土 潜在手印 荧光
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 1601-1605
• 页数: 5页
• 分类号: O657.3
• 字数: 2729字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2015)06-1601-05

摘要

以聚乙烯亚胺（PEI）为修饰剂，采用水热法合成了荧光强度较高、颗粒粒径较小的YVO4∶Eu纳米荧光材料，并讨论了合成该纳米荧光材料的反应机理。通过透射电子显微镜（T EM ）、X射线衍射（XRD ）、红外光谱（FTIR）、荧光光谱（FS）对纳米荧光材料的粒径形貌、晶体结构、表面官能团、荧光性能进行表征，该纳米荧光材料的粒径尺度约为30 nm、形貌为单分散的球形、晶体结构为四方YVO4晶型、其表面为PEI修饰，在254 nm紫外光的激发下能够发射出较强的红色荧光。将合成的YVO4∶Eu纳米荧光材料应用于常见光滑客体表面汗潜手印的粉末法显现中，并考详细察了手印显现灵敏度、抗背景颜色干扰能力等因素的影响。实验结果显示，经过YVO4∶Eu纳米荧光材料显现的手印在254 nm紫外灯照射下能够发射出明亮的红色荧光，手印纹线清晰连贯、细节特征明显、对比反差强烈、背景干扰较小。与传统的荧光粉末显现法相比，该显现方法具有较高的显现灵敏度和较低的背景干扰。