不同碳硅比稻壳对原位制备多孔Si3N4陶瓷的影响

• 作者: 刘甜甜 许晓敏 郭伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: C/SiO2 烧结温度 稻壳 多孔氮化硅陶瓷
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 2484-2489
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2240字
• 语种: 中文

摘要

以不同C/SiO2的碳化稻壳为硅源、碳源和成孔剂,添加α-Si3N4和少量烧结助剂,利用碳热还原氮化法原位制备多孔氮化硅陶瓷,研究了不同C/SiO2和烧结温度对多孔陶瓷相组成、显气孔率、抗弯强度和微观结构等性能的影响.结果表明:当选用碳化稻壳C/SiO2(质量比)为0.5和0.7时,在1450 ～ 1500℃的试样中有α-Si3N4和β-Si3N4,在1550℃的试样中只有β-Si3N4.C/SiO2为0.7、1450～1550℃下制备出多孔氮化硅陶瓷,其气孔率为52.53％ ～38.48％,抗弯强度为44.07～83.40MPa;1550℃制备的多孔β-Si3N4陶瓷中孔隙分布均匀,孔径约为2μm,β-Si3N4呈团簇状生长,长径比约为6～8.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭伟		48	348	12.0	16.0
2	许晓敏		2	6	2.0	2.0
6	刘甜甜		2	6	2.0	2.0