篇名 | Switching mechanism for TiO2 memristor and quantitative analysis of exponential model parameters | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | memristor switching behavior electronic barrier exponential model | ||
年,卷(期) | 2015,(8) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 594-600 | |
页数 | 7页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/24/8/088401 |