Y、V共掺杂CaBi4Ti4O15陶瓷的结构及电性能研究

• 作者: 何新华 李丹洋 符小艺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CaBi4Ti4O15 Y、V共掺杂 电导率 复阻抗
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 2390-2393
• 页数: 4页
• 分类号: TM282
• 字数: 1758字
• 语种: 中文

摘要

采用固相烧结法制备了Y、V共掺杂的CaBi4Ti4O15陶瓷(简称CYBTV).Y、V共掺杂有利于陶瓷晶粒沿c轴方向生长,提高瓷体致密度.测量和分析了不同频率下CYBTV陶瓷的交流电导率σ.c和直流电导率σdc随温度(300～ 1150 K)的变化以及陶瓷的复阻抗谱.σac在不同温区表现出不同程度的频率和温度相关性:在低温区,σac随着频率的升高而增大;在高温区,σac随着温度的升高而增大.CBT基材料的复阻抗响应主要与晶粒电阻电容有关,Y、V共掺杂后,陶瓷的晶粒电阻率显著增大,从而导致材料电阻率的提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	符小艺	华南理工大学材料科学与工程学院	9	36	3.0	6.0
2	李丹洋	华南理工大学材料科学与工程学院	2	3	1.0	1.0
3	何新华	华南理工大学材料科学与工程学院	29	161	7.0	11.0