光学浮区法生长掺锡氧化镓单晶及性能研究

• 作者: 夏长泰 张小桃 张晓欣 户慧玲 肖海林 谢建军 赛青林
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Sn∶β-Ga2O3 浮区法 电导率 荧光光谱
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 页码范围: 2354-2358
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 3060字
• 语种: 中文

摘要

作为垂直结构的GaN基LED新型衬底材料,β-Ga2 O3单晶已经引起了人们的广泛关注.β-Ga2O3单晶的导电性是通过掺杂来实现的,Sn4掺入是其中一种很好提高-Ga2O3导电性的方法.利用光学浮区法生长了尺寸为5×20 mm2,掺杂浓度为10％的掺锡氧化镓单晶(Sn∶ β-Ga2O3),并对Sn∶ β-Ga2O3单晶的缺陷密度、导电和荧光光谱特性进行了研究.结果表明:实验制得Sn∶β-Ga2O3样品的线缺陷约为6.51×105/cm2,掺入Sn4+杂质后β-Ga2 O3的电导率增加,样品的最高电导率为2.210 S/cm,同时Sn4+的掺入会抑制β-Ga2O3的红绿光发射.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏长泰	中国科学院上海光学精密机械研究所	19	225	8.0	14.0
2	谢建军	上海大学材料科学与工程学院	40	103	6.0	8.0
3	张小桃	上海大学材料科学与工程学院	3	13	2.0	3.0
5	赛青林	中国科学院上海光学精密机械研究所	7	27	3.0	5.0
6	张晓欣	上海大学材料科学与工程学院	2	4	2.0	2.0
9	肖海林	中国科学院上海光学精密机械研究所	3	15	2.0	3.0
10	户慧玲	中国科学院上海光学精密机械研究所	1	2	1.0	1.0