基于MOSFET适用于母线开关的浪涌抑制电路

• 作者: 张伟 张泰峰 李文华 鲁伟
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 母线开关 浪涌抑制
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 2222-2224
• 页数: 3页
• 分类号: TM56
• 字数: 2630字
• 语种: 中文

摘要

依据MOSFET功率开关管可工作于线性区,其寄生电容参数值会影响MOSFET开关特性的固有属性,提出一种基于MOSFET适用于航空航天母线开关的浪涌抑制电路.通过MOSFET外围稍加电阻电容器件等同于改变MOSFET的寄生电容,使其开关特性曲线改变.当母线开关接通时,由于电源输入端滤波电容的影响,将出现浪涌,此时使MOSFET开关管工作于线性区,通过MOSFET的恒流作用,达到为后端容性负载充电,从而起到抑制浪涌的作用.通过原理分析、电路仿真及实验验证,表明该电路能够作为母线开关同时有效起到浪涌抑制作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	中国电子科技集团公司第十八研究所	77	123	6.0	7.0
2	鲁伟	中国电子科技集团公司第十八研究所	17	31	4.0	4.0
3	张泰峰	中国电子科技集团公司第十八研究所	15	24	3.0	4.0
4	李文华	中国电子科技集团公司第十八研究所	5	16	3.0	4.0