4500 V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试

• 作者: 任娜 何骏伟 刘奥 柏松 盛况 陈思哲 陶永洪
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 肖特基势垒二极管 结型场效应晶体管 功率模块
• 年，卷（期）: 2015,（17）
• 所属期刊栏目: 电力电子及电力传动
• 页码范围: 63-69
• 页数: 7页
• 分类号: TN30
• 字数: 3672字
• 语种: 中文

摘要

基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试.测试结果表明,制备模块具备了相应的电流导通和电压阻断能力,同时开关特性良好,模块的容量是目前国内已报道的最高水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛况	浙江大学电气工程学院	28	745	8.0	27.0
2	何骏伟	浙江大学电气工程学院	1	7	1.0	1.0
3	陈思哲	浙江大学电气工程学院	2	18	2.0	2.0
4	任娜	浙江大学电气工程学院	3	12	2.0	3.0
5	柏松		20	83	6.0	8.0
6	陶永洪		3	7	1.0	2.0
7	刘奥		3	10	2.0	3.0