Mn离子注入Mg掺杂Ga N的微结构和光学特性研究?

• 作者: 刘树林 娄永乐 张义门 徐大庆 李培咸 童军
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 离子注入 拉曼散射 光致发光
• 年，卷（期）: 2015,（14）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 14019-14022
• 页数: 4页
• 分类号: O48
• 字数: 4099字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.003

摘要

通过Mn离子注入 Mg 掺杂 GaN 外延层制备了铁磁性 GaN∶Mn 薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻 Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1．69,2．54和2．96 eV的3个新的发光峰,分析认为2．96 eV 的发光峰来自MgGa-VN 复合体深施主能级和 Mg 的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2．54 eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1．69 eV的新发光峰不排除来自MgGa-VN 复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	刘树林	西安科技大学电气与控制工程学院	67	882	12.0	28.0
3	李培咸	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	36	324	10.0	17.0
4	童军	西安科技大学电气与控制工程学院	47	138	7.0	9.0
5	娄永乐	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室	5	2	1.0	1.0
6	徐大庆	西安科技大学电气与控制工程学院	5	5	1.0	2.0