n-GaInP2/p-Ge异质结热光伏电池特性分析

• 作者: 乔在祥 张德亮 张超 纪伟伟
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热光伏 Ge GaInP2 异质结 J-V特性
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 页码范围: 2804-2809
• 页数: 6页
• 分类号: TM914
• 字数: 2940字
• 语种: 中文

摘要

热光伏电池是当前研究的热点,目前同质结Ge电池的研究较为常见,而GaInP2/Ge异质结电池还未见相关报道.本文首先对比GaInPJGe异质结与GaInP2/Ge/Ge同质结的能带图,发现异质结界面处的阶跃势垒位于内建电场内部,以至于阶跃势垒不影响载流子输运,能提高器件的性能.然后通过MOCVD在P型Ge衬底上外延高质量、宽带隙的单晶GaInP2层,并进行TEM-EDX线性扫描、Ⅰ-Ⅴ测试,研究结果表明,利用MOCVD技术制备的GaInP2/Ge异质结界面陡峭且GaInP2并未向Ge内扩散;通过优化器件工艺4 cm2全面积电池效率最终达到5.18％ (AM1.5,25℃).根据J-V曲线方程推算出串并联电阻(Rs、Rsh)、反向饱和电流密度(J0)和二极管品质因子(A)等参数,为电池性能的进一步提高获得主要的突破路径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张超	中国电子科技集团公司第十八研究所	55	113	5.0	8.0
2	乔在祥	中国电子科技集团公司第十八研究所	16	28	3.0	5.0
3	纪伟伟	中国电子科技集团公司第十八研究所	5	4	2.0	2.0