微纳水溶解抛光工艺参数对KDP晶体面粗糙度影响的试验研究

• 作者: 滕晓辑 王旭 陈玉川 高航
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: KDP晶体 表面粗糙度 水溶解抛光
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 页码范围: 2702-2707
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 2984字
• 语种: 中文

摘要

微纳水溶解抛光与计算机控制光学表面成形(CCOS)小工具抛光技术相结合,是针对大尺寸易溶于水的KDP晶体元件的一种有效加工方法.本文针对小工具抛光中行星运动方式及水溶解抛光工艺特点,为揭示各抛光工艺参数对KDP晶体表面粗糙度的影响规律,对晶体进行均匀抛光,并以抛光头转速比和转速、自转和公转方向、抛光载荷、抛光头直径、抛光液含水量为参变量,得到了最优抛光参数:抛光头公转自转反向,转速100r/min;抛光液含水量7.5％(质量分数);使用较大尺寸抛光头(工件尺寸的十分之一至五分之一).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高航	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	69	830	18.0	26.0
2	滕晓辑	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	6	79	4.0	6.0
3	王旭	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	27	113	7.0	9.0
4	陈玉川	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	2	7	2.0	2.0