可选择型低值电容标准的研究

• 作者: LEE RAEDUK 张艳丽 迟洁茹 黄璐 齐福强
• 来源期刊: 电测与仪表
• 学科: 工学
• 关键词: 可选择型低值电容标准 3-D电场仿真 屏蔽栅 边缘效应
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 页码范围: 46-51
• 页数: 6页
• 分类号: TM53
• 字数: 3631字
• 语种: 中文

摘要

在电磁计量和仪器仪表行业中，通常需要高稳定电容标准器装置对仪器设备进行量值检定校准以确保它们测量的准确性。可选择型低值电容就是一种可在同一系统中输出不同稳定微小电容值的标准器。针对该类电容器最大不确定度来源之一，即屏蔽栅通孔的边缘效应，文中采用3-D电场仿真对其进行了深入研究分析，同时依据仿真结果完成了一种可选择型低值电容标准器的整体结构设计，为其实际加工制作奠定了坚实的理论基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	迟洁茹	青岛大学自动化学院	28	107	4.0	10.0
2	黄璐		16	40	4.0	4.0
3	张艳丽	青岛大学自动化学院	40	161	6.0	11.0
4	LEE RAEDUK		1	3	1.0	1.0
5	齐福强	青岛大学自动化学院	2	7	2.0	2.0