部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性?

• 作者: 刘远 张平 恩云飞 王凯 邓婉玲 陈海波
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 绝缘体上硅器件 部分耗尽 低频噪声 缺陷态
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 108501-1-108501-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.108501

摘要

针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator, SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于SiO2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程；基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×1017 eV?1·cm?3和2.76×1017 eV?1·cm?3.基于电荷隧穿机理,在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上,提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况.此外, SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小,这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声.最后,基于电荷耦合效应,分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.