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CdSiP2晶体的生长与热膨胀性质研究
CdSiP2晶体的生长与热膨胀性质研究
作者:
何知宇
吴敬尧
孙宁
朱世富
杨辉
林莉
赵北君
陈宝军
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CdSiP2
晶体生长
布里奇曼法
热膨胀
摘要:
设计出PBN内衬的逐层减压石英生长安瓿,采用改进的垂直布里奇曼法,获得了完整无开裂的CdSiP2晶体,尺寸达φ15 mm × 65 mm.采用高分辨X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线能谱仪对生长的晶体进行测试表明,生长晶体化学成分非常接近CdSiP2的理论化学配比,结晶性良好.运用红外分光光度计以及红外显微镜对厚度2mm的CdSiP2晶片进行了红外光学性能测试,结果表明,在2~5 μm范围内的红外透过率在53%以上,晶片的红外透过率均匀性接近90%.对CdSiP2晶体a轴方向与c轴方向的热膨胀系数αa和αc分别进行了测定,在温度620K时,a轴方向的热膨胀系数αa高达4×10-6 K-1,几乎为αc的三倍.计算得到Cd-P键rCd-P的热膨胀系数为17×10-6 K-1,比Si-P键rSi-P大得多,采用电子结构理论分析了CdSiP2晶体各向异性热膨胀机理.
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文献信息
篇名
CdSiP2晶体的生长与热膨胀性质研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
CdSiP2
晶体生长
布里奇曼法
热膨胀
年,卷(期)
2015,(10)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
2619-2625
页数
7页
分类号
O78
字数
3602字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
朱世富
四川大学材料科学系
151
840
14.0
20.0
2
赵北君
四川大学材料科学系
132
744
14.0
19.0
3
陈宝军
四川大学材料科学系
56
160
7.0
9.0
4
林莉
四川大学材料科学系
11
98
7.0
9.0
5
何知宇
四川大学材料科学系
69
221
8.0
11.0
6
杨辉
四川大学材料科学系
20
18
3.0
3.0
10
孙宁
四川大学材料科学系
10
16
2.0
4.0
11
吴敬尧
四川大学材料科学系
3
1
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参考文献(1)
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二级引证文献(0)
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节点文献
CdSiP2
晶体生长
布里奇曼法
热膨胀
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
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