溶剂熔区移动法制备Cd0.9Zn0.1Te晶体及性能研究

• 作者: 孟华 张继军 时彬彬 杨升 梁小燕 段磊 王林军 邢晓兵 闵嘉华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 PICTS
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 857-862
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 3253字
• 语种: 中文

摘要

用溶剂熔区移动法制备了掺In的Cd0.9Zn01Te晶体,晶体生长温度800℃,温度梯度为20℃/cm,生长速度0.4 mm/h.测试了晶体的Te夹杂情况、红外透过率图谱、Ⅰ～Ⅴ特性曲线和PICTS特性,并以1115℃下用VB法生长的掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体做为参照,对比了两者性能.结果表明,溶剂熔区移动法制备的晶体Te夹杂的密度和体积百分比比VB法晶片低,但是Te夹杂的尺寸要比VB法晶体大;溶剂熔区移动法晶体的红外透过率比VB法晶体高;溶剂熔区移动法晶体电阻率比VB法晶体高了一个数量级;PICTS测试发现,溶剂熔区移动法晶体内主要的缺陷密度低于VB法晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王林军	上海大学电子信息材料系	109	441	11.0	14.0
2	闵嘉华	上海大学电子信息材料系	54	281	10.0	15.0
3	张继军	上海大学电子信息材料系	20	48	4.0	6.0
4	梁小燕	上海大学电子信息材料系	19	38	3.0	5.0
5	孟华	上海大学电子信息材料系	3	3	1.0	1.0
6	段磊	上海大学电子信息材料系	5	8	2.0	2.0
7	邢晓兵	上海大学电子信息材料系	3	2	1.0	1.0
8	时彬彬	上海大学电子信息材料系	5	3	1.0	1.0
9	杨升	上海大学电子信息材料系	4	2	1.0	1.0