碳化硅陶瓷密封材料上沉积复合金刚石薄膜

• 作者: 吕继磊 张玮 林晓棋 满卫东 赵彦君 阳硕
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 金刚石薄膜 等离子体化学气相沉积 摩擦系数
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 993-997
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2338字
• 语种: 中文

摘要

利用直流辉光等离子体化学气相沉积(DC-GD CVD)设备在碳化硅(SiC)密封材料上沉积复合金刚石薄膜(ICD).实验通过两步工艺,先在SiC上沉积一层微米金刚石薄膜(MCD),然后再沉积一层纳米金刚石薄膜(NCD)形成复合金刚石薄膜(ICD).通过场发射扫面电镜和拉曼测试,研究了MCD、NCD和ICD薄膜的表面形貌和材料结构.各种金刚石薄膜利用轮廓仪、划痕测试和摩擦磨损测试其力学性能.结果显示ICD薄膜既有较强的结合力,其摩擦系数也较低.ICD薄膜涂层的SiC密封环的摩擦系数为0.08 ～0.1.