p型CdZnTe晶体(111)B面的Au/Zn复合电极的制备和研究

• 作者: 孟华 张继军 时彬彬 杨升 梁小燕 段磊 邢晓兵 闵嘉华
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe 复合电级 金半接触 势垒高度
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 988-992
• 页数: 5页
• 分类号: O77
• 字数: 3044字
• 语种: 中文

摘要

通过对p型CdZnTe(111)面的结构分析,用真空蒸发法在p型CdZnTe晶体(111)面制备出Au/Zn复合电极,运用金相显微镜、AFM测试、SEM剖面观察、EDS成分分析、Ⅰ-Ⅴ特性测试及势垒高度计算等多种手段研究了Au/Zn复合电极对金属和半导体接触性能的影响.结果表明,在P型CdZnTe(111)A面蒸镀Au电极,在B面蒸镀Au/Zn复合电极时获得的势垒高度最低,有效减小了富Te面对金半接触的影响.Au/Zn复合电极能获得比Au电极更理想的接触性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵嘉华	上海大学电子信息材料系	54	281	10.0	15.0
2	张继军	上海大学电子信息材料系	20	48	4.0	6.0
3	梁小燕	上海大学电子信息材料系	19	38	3.0	5.0
4	孟华	上海大学电子信息材料系	3	3	1.0	1.0
5	段磊	上海大学电子信息材料系	5	8	2.0	2.0
6	邢晓兵	上海大学电子信息材料系	3	2	1.0	1.0
7	时彬彬	上海大学电子信息材料系	5	3	1.0	1.0
8	杨升	上海大学电子信息材料系	4	2	1.0	1.0