一种CMOS新型ESD保护电路设计

• 作者: 沈放 陈巍 陈艳 黄灿英
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 静电放电(ESD)保护 栅极接地NMOS 抗静电 电流集边效应 低成本
• 年，卷（期）: 2015,（24）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 128-131
• 页数: 4页
• 分类号: TN43-34
• 语种: 中文
• DOI: 10.16652/j.issn.1004-373x.2015.24.037

摘要

金属氧化物半导体（MOS）器件的缩放技术使集成电路芯片面临着严重的静电放电（ESD）威胁，而目前采用的ESD保护电路由于电流集边效应等原因，普遍存在着抗静电能力有限、占用较大芯片面积等问题。根据全芯片ESD防护机理，基于SMIC 0.18μm工艺设计并实现了一种新型ESD保护电路，其具有结构简单、占用芯片面积小、抗ESD能力强等特点。对电路的测试结果表明，相对于相同尺寸栅极接地结构ESD保护电路，新型ESD保护电路在降低35%芯片面积的同时，抗ESD击穿电压提升了32%，能够有效保护芯片内部电路免受ESD造成的损伤和降低ESD保护电路的成本。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈巍	南昌大学科学技术学院	10	20	2.0	4.0
2	陈艳	南昌大学科学技术学院	51	90	5.0	6.0
3	黄灿英	南昌大学科学技术学院	28	63	5.0	6.0
4	沈放	南昌大学科学技术学院	11	17	3.0	3.0