硼掺杂对用于SHJ太阳电池的nc-Si∶H薄膜微结构的影响

• 作者: 乔治 刘彩池 刘辉 梁李敏 解新建 郝秋艳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-PECVD nc-Si∶H薄膜 硼掺杂 SHJ太阳能电池
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 933-938
• 页数: 6页
• 分类号: TM914
• 字数: 3874字
• 语种: 中文

摘要

采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响.结果表明:由于“硼掺杂效应”,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶化率逐渐降低,晶粒尺寸减小,薄膜的择优取向由[111]变为[220];光学带隙逐渐减小,电导率则先升后降;本实验中薄膜的最优掺杂比为0.3％.以优化后的p型nc-Si∶H薄膜做窗口层,SHJ太阳电池的性能得到明显改善,获得了效率为14.1％的电池.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料学院	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学材料学院	37	179	9.0	12.0
3	解新建	河北工业大学材料学院	10	57	4.0	7.0
4	乔治	河北工业大学材料学院	19	67	5.0	7.0
6	刘辉	河北工业大学材料学院	9	142	5.0	9.0
9	梁李敏	河北工业大学材料学院	8	15	2.0	3.0