基于乙烯的化学气相沉积法制备少层石墨烯

• 作者: 任文杰 张洁 朱永 王宁 龚天诚
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 化学气相沉积 乙烯 Cu
• 年，卷（期）: 2015,（16）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 16115-16118
• 页数: 4页
• 分类号: TQ1271.+1
• 字数: 3253字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/ji.ssn1.001-97312.0151.60.20

摘要

采用乙烯作为碳源，利用化学气相沉积法（C V D法），在1000℃条件下在铜箔上制备了少层石墨烯；采用不引入PM M A和PDM S 等杂质的直接转移方法将石墨烯薄膜转移到Si／SiO2基底上，对石墨烯薄膜进行了表征。实验研究表明，减小乙烯的进气量可以提高石墨烯的质量；减少反应时间可以降低无定形碳的含量；增加退火时间可以提高Cu表面结晶质量，更加有利于石墨烯的生长。通过优化各项参数，使用乙烯已经可以制备 I2D／IG ＝08．8的少层石墨烯。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张洁	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	77	522	12.0	19.0
2	朱永	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	112	1521	21.0	34.0
3	王宁	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	49	388	13.0	17.0
4	龚天诚	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	11	45	5.0	6.0
5	任文杰	重庆大学光电工程学院光电技术及系统教育部重点实验室	3	20	3.0	3.0