基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展

• 作者: 付蕊 刘虎 化麒麟 弭辙 涂洁磊 白一鸣 陈吉堃 陈诺夫
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ-Ⅴ族化合物 高效多结太阳电池 半导体键合 晶格失配
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 新材料新技术
• 页码范围: 124-128,149
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.07.020

摘要

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视.介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展.重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法.其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46％,也是目前实验室最高效率.此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望.