氧化石墨的合成工艺优化及电容特性

• 作者: 张勇 张建 王力臻 高海丽 黄淑荣
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体结构 粒径分布 比电容 氧化石墨
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 新产品新技术
• 页码范围: 676-679
• 页数: 4页
• 分类号: TM912.9
• 字数: 3284字
• 语种: 中文

摘要

采用改良的Hummers法，设计L9(34)正交实验研究了石墨来源、浓硫酸用量、合成温度及95℃控温时间对所合成氧化石墨(GO)特征峰强度的影响。用X射线衍射光谱法(XRD)、激光粒度分析仪及比表面和孔隙度分析仪，对GO晶体结构和粒径分布进行了分析；利用CV和线性极化曲线法研究了GO的电容特性。结果表明，石墨来源、浓硫酸用量和95℃控温时间影响最为显著。当石墨来源为鳞片石墨、浓硫酸用量为58 mL、合成温度为25℃和95℃控温时间为12 h的工艺参数，为最佳合成工艺条件。该工艺下所制备的GO试样层间距为0.73 nm，中值粒径50为11.02滋m，极化电阻仅为0.24Ω。在2 mV/s扫速下，其放电比电容达到234.1 F/g，即使扫速增加到50 mV/s，该电极仍然能放出高达121.5 F/g的比电容结构。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王力臻	郑州轻工业学院材料与化学工程学院	42	153	7.0	10.0
5	张勇	郑州轻工业学院材料与化学工程学院	109	624	12.0	18.0
7	高海丽	郑州轻工业学院材料与化学工程学院	31	52	3.0	4.0
10	张建		4	3	1.0	1.0