从专利角度看PCM加热电极的发展

• 作者: 张虹
• 来源期刊: 通讯世界
• 学科: 工学
• 关键词: PCM 加热电极 专利申请 技术分支
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 论述
• 页码范围: 244-244,245
• 页数: 2页
• 分类号: TQ150
• 字数: 2350字
• 语种: 中文

摘要

加热电极是影响PCM存储器存储性能的重要部分，影响PCM的操作电流、功耗、读写速率等主要性能参数。本文主要以专利摘要数据库中的检索结果为分析样本，从专利文献的视角对PCM的加热电极的相关文献进行了统计分析，总结了PCM加热电极领域的国内外专利申请的时间趋势、主要申请人分布以及重点技术分支，为相关行业的从业人员提供技术发展脉络信息。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张虹		7	1	1.0	1.0