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Hetero-epitaxy of Lg =0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | Hetero-epitaxy of Lg =0.13-μm metamorphic AlInAs/GaInAs HEMT on Si substrates by MOCVD for logic applications | ||
| 来源期刊 | 中国物理B（英文版） | 学科 | |
| 关键词 | AlInAs/GaInAs silicon metamorphic high electron mobility transistor (mHEMT) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) multiple quantum well (MOW) | ||
| 年，卷（期） | 2015,（8） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 525-529 | |
| 页数 | 5页 | 分类号 | |
| 字数 | 语种 | 中文 | |
| DOI | 10.1088/1674-1056/24/8/087305 | ||
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
AlInAs/GaInAs
silicon
metamorphic high electron mobility transistor (mHEMT)
metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)
multiple quantum well (MOW)
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国物理B(英文版)
主办单位：
中国物理学会和中国科学院物理研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-1056
CN：
11-5639/O4
开本：
出版地：
北京市中关村中国科学院物理研究所内
邮发代号：
创刊时间：
语种：
eng
出版文献量（篇）
17050
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