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摘要:
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带有AlN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究
GaN
高分辨X射线衍射
背散射/沟道
AlxGa1-xN/GaN异质结构中Al组分对二维电子气性质的影响
AlxGa1-xN/GaN异质结构
二维电子气
自发极化
压电极化
GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质
GaN
AlxGa1-xN/GaN异质结
位错
Hall
高温
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 AlN插入层对AlxGa1-xN/GaN界面电子散射的影响?
来源期刊 物理学报 学科
关键词 二维电子气浓度 迁移率 界面粗糙度散射 合金无序散射
年,卷(期) 2015,(19) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 197303-1-197303-7
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.64.197303
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕燕伍 北京交通大学理学院 16 32 3.0 4.0
2 杨鹏 北京交通大学理学院 4 27 3.0 4.0
3 王鑫波 北京交通大学理学院 2 4 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
引文网络
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参考文献  (0)
节点文献
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2015(0)
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2018(2)
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2019(1)
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  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
二维电子气浓度
迁移率
界面粗糙度散射
合金无序散射
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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