篇名 | Formation of two-dimensional electron gas at AlGaN/GaN heterostructure and the derivation of its sheet density expression | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | high electron mobility transistors GaN two-dimensional electron gas polarization effect | ||
年,卷(期) | 2015,(6) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 516-520 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/24/6/067301 |