一种0.18μm CMOS 1.0 V高精度电压基准源

• 作者: 李惊东
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 电压基准源 带隙基准源 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 电子与信息器件
• 页码范围: 123-125
• 页数: 3页
• 分类号: TN710-34|O47
• 语种: 中文

摘要

在此基于SMIC 0.18μm CMOS工艺，设计一种高精度低温漂的低压基准电压源。该基准源的供电电源电压为1.8 V，输出电压为1.0 V，电路的总电流小于5μA。在-40～80℃范围内的温度系数为5.7 ppm/℃。当频率在100 kHz以内时，电源抑制比始终保持在-75 dB以下。该基准电压源具有低功耗、低温度系数、高电源抑制的特性，能够很好地应用于低压供电的集成电路设计中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李惊东		1	3	1.0	1.0