篇名 | Temperature-dependent bias-stress-induced electrical instability of amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors | ||
来源期刊 | 中国物理B(英文版) | 学科 | |
关键词 | amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors positive bias stress trapping model interface states | ||
年,卷(期) | 2015,(7) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 461-465 | |
页数 | 5页 | 分类号 | |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI | 10.1088/1674-1056/24/7/077307 |