Cu对用于高速相变存储器的Sb2Te薄膜的结构及相变的影响研究?

• 作者: 吕业刚 宋三年 宋志棠 戴世勋 沈祥 王东明 王国祥 王苗
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 相变存储器 相变存储材料 结构
• 年，卷（期）: 2015,（15）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 156102-1-156102-7
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.156102

摘要

采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2 Te 薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化. Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大.在10 at.%和14 at.%Cu的Sb2Te薄膜中, Cu与Te成键,结晶相由六方相的Cu7 Te4、菱形相的Sb及六方相的Sb2 Te构成.10 at.%和14 at.%Cu 的Sb2Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3.2%和4.0%,均小于传统的Ge2Sb2Te5(GST)薄膜.制备了基于Cu-Sb2Te薄膜的相变存储单元,并测试了其器件性能. Cu-Sb2Te器件均能在10 ns的电脉冲下实现可逆SET-RESET操作. SET和RESET操作电压随着Cu含量的增加而减小.疲劳测试结果显示, Cu 含量为10 at.%和14 at.%的PCRAM单元的循环操作次数分别达到1.3×104和1.5×105, RESET和SET态的电阻比值约为100. Cu-Sb2Te可以作为应用于高速相变存储器(PCRAM)的候选材料.